Módulo memoria RAM SO-DIMM DDR3 kvr1333D3s9/8g

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Descripción

Características:

  • JEDEC standard 1.5V (1.425V ~1.575V) Power Supply
  • VDDQ = 1.5V (1.425V ~ 1.575V)
  • 667MHz fCK for 1333Mb/sec/pin
  • 8 independent internal bank
  • Programmable CAS Latency: 9, 8, 7, 6
  • Programmable Additive Latency: 0, CL - 2, or CL - 1 clock
  • Programmable CAS Write Latency(CWL) = 7 (DDR3-1333)
  • 8-bit pre-fetch
  • Burst Length: 8 (Interleave without any limit, sequential with starting address “000” only), 4 with tCCD = 4 which does not allow seamless read or write [either on the fly using A12 or MRS]
  • Bi-directional Differential Data Strobe
  • Internal(self) calibration : Internal self calibration through ZQ pin (RZQ : 240 ohm ± 1%)
  • On Die Termination using ODT pin
  • Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85°C, 3.9us at 85°C < TCASE < 95°C
  • Asynchronous Reset
  • PCB: Height 1.18” (30mm), double sided component

Especificaciones:

  • CL(IDD) 9 cycles
  • Row Cycle Time (tRCmin) 49.5ns (min.)
  • Refresh to Active/Refresh 260ns (min.)
  • Command Time (tRFCmin)
  • Row Active Time (tRASmin) 36ns (min.)
  • Power (Operating) 1.200W*
  • UL Rating 94 V - 0
  • Operating Temperature 0o C to 85o C
  • Storage Temperature -55o C to +100o C
Detalles del producto
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